Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDT434P
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2732372

FDT434P

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.68
10+
$0.599
100+
$0.459
500+
$0.363
1000+
$0.291
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDT434P
  • Producent / marka
    Fairchild (onsemi)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.FDT434P.pdf
    2.FDT434P.pdf
  • Napięcie - Test
    1187pF @ 10V
  • Napięcie - Podział
    SOT-223-4
  • VGS (th) (Max) @ Id
    50 mOhm @ 6A, 4.5V
  • Vgs (maks.)
    2.5V, 4.5V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seria
    PowerTrench®
  • Stan RoHS
    Cut Tape (CT)
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    6A (Ta)
  • Polaryzacja
    TO-261-4, TO-261AA
  • Inne nazwy
    FDT434PCT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    9 Weeks
  • Numer części producenta
    FDT434P
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    19nC @ 4.5V
  • Rodzaj IGBT
    ±8V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    1V @ 250µA
  • Cecha FET
    P-Channel
  • Rozszerzony opis
    P-Channel 20V 6A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    -
  • Opis
    MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    20V
  • Stosunek pojemności
    3W (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDT434P”.
FDTC-08M-E-00N-00N-A

FDTC-08M-E-00N-00N-A

Opis: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES

Producenci: 3M
Na stanie
RFQ
FDT439N

FDT439N

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDT3N40TF

FDT3N40TF

Opis: MOSFET N-CH 400V 2A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDT1600N10ALZ

FDT1600N10ALZ

Opis: MOSFET N-CH 100V SOT-223-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDT457N

FDT457N

Opis: MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDT86246L

FDT86246L

Opis: MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDT86246

FDT86246

Opis: MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDT86256

FDT86256

Opis: MOSFET N-CH 150V 1.2A SOT-223-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDT458P

FDT458P

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDT461N

FDT461N

Opis: MOSFET N-CH 100V 0.54A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDTC-08M-E-00N-01C-A-04-EPNA

FDTC-08M-E-00N-01C-A-04-EPNA

Opis: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES

Producenci: 3M
Na stanie
RFQ
FDTC-08M-COUPLINGTRAY-4SCUPC

FDTC-08M-COUPLINGTRAY-4SCUPC

Opis: COUPLING TRAY 4 SC UPC PIGS

Producenci: 3M
Na stanie
RFQ
FDT86102LZ

FDT86102LZ

Opis: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDT86244

FDT86244

Opis: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDT459N

FDT459N

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDT86113LZ

FDT86113LZ

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDTC-08M-E-00N-01C-A-06-DANN

FDTC-08M-E-00N-01C-A-06-DANN

Opis: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES

Producenci: 3M
Na stanie
RFQ
FDT86106LZ

FDT86106LZ

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDT55AN06LA0

FDT55AN06LA0

Opis: MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDT3612

FDT3612

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.