Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDT86106LZ
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2792745Obraz FDT86106LZ.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDT86106LZ

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
4000+
$0.547
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDT86106LZ
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.FDT86106LZ.pdf
    2.FDT86106LZ.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-223-4
  • Seria
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    108 mOhm @ 3.2A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.2W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-261-4, TO-261AA
  • Inne nazwy
    FDT86106LZ-ND
    FDT86106LZTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    25 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    315pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    7nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 3.2A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3.2A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDT86106LZ”.
FDT434P

FDT434P

Opis: MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDTC-08M-E-00N-00N-A

FDTC-08M-E-00N-00N-A

Opis: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES

Producenci: 3M
Na stanie
RFQ
FDT439N

FDT439N

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDT86244

FDT86244

Opis: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDT3N40TF

FDT3N40TF

Opis: MOSFET N-CH 400V 2A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDT457N

FDT457N

Opis: MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDT86246

FDT86246

Opis: MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDT55AN06LA0

FDT55AN06LA0

Opis: MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDT461N

FDT461N

Opis: MOSFET N-CH 100V 0.54A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDT459N

FDT459N

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDTC-08M-E-00N-01C-A-06-DANN

FDTC-08M-E-00N-01C-A-06-DANN

Opis: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES

Producenci: 3M
Na stanie
RFQ
FDTC-08M-COUPLINGTRAY-4SCUPC

FDTC-08M-COUPLINGTRAY-4SCUPC

Opis: COUPLING TRAY 4 SC UPC PIGS

Producenci: 3M
Na stanie
RFQ
FDT458P

FDT458P

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDT86256

FDT86256

Opis: MOSFET N-CH 150V 1.2A SOT-223-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDT86246L

FDT86246L

Opis: MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDT86113LZ

FDT86113LZ

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDT86102LZ

FDT86102LZ

Opis: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDTC-08M-E-00N-01C-A-06-EPNA

FDTC-08M-E-00N-01C-A-06-EPNA

Opis: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES

Producenci: 3M
Na stanie
RFQ
FDT3612

FDT3612

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDTC-08M-E-00N-01C-A-04-EPNA

FDTC-08M-E-00N-01C-A-04-EPNA

Opis: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES

Producenci: 3M
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.