Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDS3692
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6339919Obraz FDS3692.Fairchild/ON Semiconductor

FDS3692

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.09
10+
$0.978
100+
$0.763
500+
$0.63
1000+
$0.497
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDS3692
  • Producent / marka
    Fairchild (onsemi)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SO
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDS3692.pdf
  • Model ECAD
  • Napięcie - Test
    746pF @ 25V
  • Napięcie - Podział
    8-SOIC
  • VGS (th) (Max) @ Id
    60 mOhm @ 4.5A, 10V
  • Vgs (maks.)
    6V, 10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seria
    PowerTrench®
  • Stan RoHS
    Digi-Reel®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    4.5A (Ta)
  • Polaryzacja
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    FDS3692DKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Numer części producenta
    FDS3692
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    15nC @ 10V
  • Rodzaj IGBT
    ±20V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    4V @ 250µA
  • Cecha FET
    N-Channel
  • Rozszerzony opis
    N-Channel 100V 4.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    -
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SO
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    100V
  • Stosunek pojemności
    2.5W (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDS3692”.
FDS3612

FDS3612

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS4080N7

FDS4080N7

Opis: MOSFET N-CH 40V 13A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS3890

FDS3890

Opis: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS3672

FDS3672

Opis: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS3812

FDS3812

Opis: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS3912

FDS3912

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS3680

FDS3680

Opis: MOSFET N-CH 100V 5.2A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS3590

FDS3590

Opis: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS4072N3

FDS4072N3

Opis: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS4070N7

FDS4070N7

Opis: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS3601

FDS3601

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS3572

FDS3572

Opis: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS3682

FDS3682

Opis: MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS4080N3

FDS4080N3

Opis: MOSFET N-CH 40V 13A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS3670

FDS3670

Opis: MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS4072N7

FDS4072N7

Opis: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS3992

FDS3992

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS4070N3

FDS4070N3

Opis: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS3570

FDS3570

Opis: MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS3580

FDS3580

Opis: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.