Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDS3572
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
814161Obraz FDS3572.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS3572

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.82
10+
$1.64
100+
$1.318
500+
$1.025
1000+
$0.849
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDS3572
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDS3572.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    16 mOhm @ 8.9A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.5W (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    FDS3572CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    6 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1990pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    41nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    80V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 80V 8.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    8.9A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDS3572”.
FDS2672-F085

FDS2672-F085

Opis: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS2734

FDS2734

Opis: MOSFET N-CH 250V 3A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS3590

FDS3590

Opis: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS3680

FDS3680

Opis: MOSFET N-CH 100V 5.2A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS2572

FDS2572

Opis: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS3682

FDS3682

Opis: MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS3670

FDS3670

Opis: MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS3601

FDS3601

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS3692

FDS3692

Opis: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SO

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS3672

FDS3672

Opis: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS3612

FDS3612

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS3812

FDS3812

Opis: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS2672

FDS2672

Opis: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS3512

FDS3512

Opis: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS2670

FDS2670

Opis: MOSFET N-CH 200V 3A 8-SO

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS3580

FDS3580

Opis: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS2582

FDS2582

Opis: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS2170N7

FDS2170N7

Opis: MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS3170N7

FDS3170N7

Opis: MOSFET N-CH 100V 6.7A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS3570

FDS3570

Opis: MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.