Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDA69N25
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4696985Obraz FDA69N25.Fairchild/ON Semiconductor

FDA69N25

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$3.40
10+
$3.054
100+
$2.502
500+
$2.13
1000+
$1.796
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDA69N25
  • Producent / marka
    Fairchild (onsemi)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDA69N25.pdf
  • Napięcie - Test
    4640pF @ 25V
  • Napięcie - Podział
    TO-3PN
  • VGS (th) (Max) @ Id
    41 mOhm @ 34.5A, 10V
  • Vgs (maks.)
    10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seria
    UniFET™
  • Stan RoHS
    Tube
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    69A (Tc)
  • Polaryzacja
    TO-3P-3, SC-65-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    6 Weeks
  • Numer części producenta
    FDA69N25
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    100nC @ 10V
  • Rodzaj IGBT
    ±30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    5V @ 250µA
  • Cecha FET
    N-Channel
  • Rozszerzony opis
    N-Channel 250V 69A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    -
  • Opis
    MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    250V
  • Stosunek pojemności
    480W (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDA69N25”.
FDA620005

FDA620005

Opis: OSCILLATOR XO 106.25MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDA75N28

FDA75N28

Opis: MOSFET N-CH 280V 75A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDA79N15

FDA79N15

Opis: MOSFET N-CH 150V 79A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDA620008

FDA620008

Opis: OSCILLATOR XO 106.25MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDA801-VYT

FDA801-VYT

Opis: IC PWR AMP CLASS D 64-LQFP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
FDA800001

FDA800001

Opis: OSC XO 108.000MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDA620006

FDA620006

Opis: OSCILLATOR XO 106.25MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDA620010

FDA620010

Opis: OSCILLATOR XO 106.25MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDA800002

FDA800002

Opis: OSC XO 108.000MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDA62N28

FDA62N28

Opis: MOSFET N-CH 280V 62A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDA50N50

FDA50N50

Opis: MOSFET N-CH 500V 48A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDA801B-VYY

FDA801B-VYY

Opis: IC PWR AMP CLASS D 64-LQFP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
FDA801-VYY

FDA801-VYY

Opis: IC PWR AMP CLASS D 64-LQFP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
FDA803D-EHT

FDA803D-EHT

Opis: 1 X 45 W CLASS D DIGITAL INPUT A

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
FDA59N25

FDA59N25

Opis: MOSFET N-CH 250V 59A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDA620009

FDA620009

Opis: OSCILLATOR XO 106.25MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDA801B-VYT

FDA801B-VYT

Opis: IC PWR AMP CLASS D 64-LQFP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
FDA59N30

FDA59N30

Opis: MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDA70N20

FDA70N20

Opis: MOSFET N-CH 200V 70A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDA620007

FDA620007

Opis: OSCILLATOR XO 106.25MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.