Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDA59N25
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
793242Obraz FDA59N25.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDA59N25

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$3.62
10+
$3.235
450+
$2.394
900+
$1.941
1350+
$1.812
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDA59N25
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 250V 59A TO-3P
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDA59N25.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-3PN
  • Seria
    UniFET™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    49 mOhm @ 29.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    392W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-3P-3, SC-65-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4020pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    82nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    250V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 250V 59A (Tc) 392W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    59A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDA59N25”.
FDA38N30

FDA38N30

Opis: MOSFET N-CH 300V TO-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDA620009

FDA620009

Opis: OSCILLATOR XO 106.25MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDA28N50

FDA28N50

Opis: MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDA450LV-T

FDA450LV-T

Opis: IC AMP QUAD BRIDGE D 100TQFP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
FDA69N25

FDA69N25

Opis: MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDA620005

FDA620005

Opis: OSCILLATOR XO 106.25MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDA50N50

FDA50N50

Opis: MOSFET N-CH 500V 48A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDA70N20

FDA70N20

Opis: MOSFET N-CH 200V 70A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDA4100LV

FDA4100LV

Opis: IC AMP QUAD BRIDGE D HIQUAD-92

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
FDA620008

FDA620008

Opis: OSCILLATOR XO 106.25MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDA2712

FDA2712

Opis: MOSFET N-CH 250V 64A TO-3PN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDA4100LV-T

FDA4100LV-T

Opis: IC AMP QUAD BRIDGE D HIQUAD-92

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
FDA33N25

FDA33N25

Opis: MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDA620006

FDA620006

Opis: OSCILLATOR XO 106.25MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDA450LV

FDA450LV

Opis: IC AMP QUAD BRIDGE D 100TQFP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
FDA620010

FDA620010

Opis: OSCILLATOR XO 106.25MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDA620007

FDA620007

Opis: OSCILLATOR XO 106.25MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDA28N50F

FDA28N50F

Opis: MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDA59N30

FDA59N30

Opis: MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDA62N28

FDA62N28

Opis: MOSFET N-CH 280V 62A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.