Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SQV120N06-4M7L_GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
904318

SQV120N06-4M7L_GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
500+
$1.947
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SQV120N06-4M7L_GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
    SQV120N06-4M7L_GE3.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-262-3
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    4.7 mOhm @ 30A, 10V
  • Strata mocy (max)
    250W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    8800pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    230nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SQV120N06-4M7L_GE3”.
BFL4001-1E

BFL4001-1E

Opis: MOSFET N-CH 900V 4.1A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRLR7821PBF

IRLR7821PBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
APT7F100B

APT7F100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
FDB2614

FDB2614

Opis: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRFS4115-7PPBF

IRFS4115-7PPBF

Opis: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
R5016ANJTL

R5016ANJTL

Opis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SUP85N02-03-E3

SUP85N02-03-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRF8736TRPBF

IRF8736TRPBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRFB7446GPBF

IRFB7446GPBF

Opis: MOSFET N CH 40V 120A TO220AB

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB70N10SL16ATMA1

IPB70N10SL16ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
TSM80N950CI C0G

TSM80N950CI C0G

Opis: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A ITO220

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
STP100NF04

STP100NF04

Opis: MOSFET N-CH 40V 120A TO-220

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
RQ3E160ADTB

RQ3E160ADTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCMT199N60

FCMT199N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SPP18P06PHKSA1

SPP18P06PHKSA1

Opis: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRF7457TRPBF

IRF7457TRPBF

Opis: MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SQP90142E_GE3

SQP90142E_GE3

Opis: MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2307-TP

SI2307-TP

Opis: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
NVD6495NLT4G-VF01

NVD6495NLT4G-VF01

Opis: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SQV120N10-3M8_GE3

SQV120N10-3M8_GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.