Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SQJ412EP-T1_GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2730736Obraz SQJ412EP-T1_GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJ412EP-T1_GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$2.63
10+
$2.373
100+
$1.907
500+
$1.483
1000+
$1.229
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SQJ412EP-T1_GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SQJ412EP-T1_GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® SO-8
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    4.1 mOhm @ 10.3A, 10V
  • Strata mocy (max)
    83W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    PowerPAK® SO-8
  • Inne nazwy
    SQJ412EP-T1-GE3CT
    SQJ412EP-T1-GE3CT-ND
    SQJ412EP-T1_GE3CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    5950pF @ 20V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    120nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    40V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 40V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    32A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SQJ412EP-T1_GE3”.
SQJ431AEP-T1_GE3

SQJ431AEP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 200V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ407EP-T1_GE3

SQJ407EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ423EP-T1_GE3

SQJ423EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 55A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ422EP-T1_GE3

SQJ422EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ402EP-T1_GE3

SQJ402EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ409EP-T1_GE3

SQJ409EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ260EP-T1_GE3

SQJ260EP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ431EP-T1_GE3

SQJ431EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 200V SO8L

Producenci: Vishay Siliconix
Na stanie
RFQ
SQJ403EP-T1_GE3

SQJ403EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ416EP-T1_GE3

SQJ416EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 27A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ401EP-T1_GE3

SQJ401EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 32A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ403BEEP-T1_GE3

SQJ403BEEP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ433EP-T1_GE3

SQJ433EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 75A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ262EP-T1_GE3

SQJ262EP-T1_GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ418EP-T1_GE3

SQJ418EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 48A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ420EP-T1_GE3

SQJ420EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 30A POWERPAKSOL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ415EP-T1_GE3

SQJ415EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 40V POWERPAK SO-8L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ414EP-T1_GE3

SQJ414EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A POWERPAKSOL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ411EP-T1_GE3

SQJ411EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ410EP-T1_GE3

SQJ410EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.