Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SQJ431EP-T1_GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6979674Obraz SQJ431EP-T1_GE3.Vishay Siliconix

SQJ431EP-T1_GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.85
10+
$1.662
25+
$1.568
100+
$1.336
250+
$1.255
500+
$1.098
1000+
$0.91
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SQJ431EP-T1_GE3
  • Producent / marka
    Vishay / Siliconix
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CHAN 200V SO8L
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SQJ431EP-T1_GE3.pdf
  • Napięcie - Test
    4355pF @ 25V
  • Napięcie - Podział
    PowerPAK® SO-8
  • VGS (th) (Max) @ Id
    213 mOhm @ 1A, 4V
  • Vgs (maks.)
    6V, 10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Stan RoHS
    Digi-Reel®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    12A (Tc)
  • Polaryzacja
    PowerPAK® SO-8
  • Inne nazwy
    SQJ431EP-T1_GE3DKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Numer części producenta
    SQJ431EP-T1_GE3
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    160nC @ 10V
  • Rodzaj IGBT
    ±20V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    3.5V @ 250µA
  • Cecha FET
    P-Channel
  • Rozszerzony opis
    P-Channel 200V 12A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    -
  • Opis
    MOSFET P-CHAN 200V SO8L
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    200V
  • Stosunek pojemności
    83W (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SQJ431EP-T1_GE3”.
SQJ457EP-T1_GE3

SQJ457EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 60V 36A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ416EP-T1_GE3

SQJ416EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 27A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ454EP-T1_GE3

SQJ454EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 200V 13A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ456EP-T1_GE3

SQJ456EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ443EP-T1_GE3

SQJ443EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 40A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ418EP-T1_GE3

SQJ418EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 48A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ414EP-T1_GE3

SQJ414EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A POWERPAKSOL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ423EP-T1_GE3

SQJ423EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 55A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ460AEP-T1_GE3

SQJ460AEP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ431AEP-T1_GE3

SQJ431AEP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 200V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ444EP-T1_GE3

SQJ444EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ446EP-T1_GE3

SQJ446EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ411EP-T1_GE3

SQJ411EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ422EP-T1_GE3

SQJ422EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ415EP-T1_GE3

SQJ415EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 40V POWERPAK SO-8L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ420EP-T1_GE3

SQJ420EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 30A POWERPAKSOL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ412EP-T1_GE3

SQJ412EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ461EP-T1_GE3

SQJ461EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 60V 30A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ459EP-T1_GE3

SQJ459EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 60V 52A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQJ433EP-T1_GE3

SQJ433EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 75A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.