Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SQA410EJ-T1_GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4215997Obraz SQA410EJ-T1_GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SQA410EJ-T1_GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.75
10+
$0.632
100+
$0.474
500+
$0.347
1000+
$0.268
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SQA410EJ-T1_GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 7.8A SC70-6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SQA410EJ-T1_GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.1V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    28 mOhm @ 5A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    13.6W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    PowerPAK® SC-70-6
  • Inne nazwy
    SQA410EJ-T1_GE3CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    485pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    8nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 7.8A (Tc) 13.6W (Tc) Surface Mount
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    7.8A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SQA410EJ-T1_GE3”.
SQA405EJ-T1_GE3

SQA405EJ-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 40V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1031X-T1-E3

SI1031X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BSS127H6327XTSA1

BSS127H6327XTSA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
STP410N4F7AG

STP410N4F7AG

Opis: MOSFET N-CHANNEL 40V 180A TO220

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
FQNL2N50BBU

FQNL2N50BBU

Opis: MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STD4NK80ZT4

STD4NK80ZT4

Opis: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
SQA000001

SQA000001

Opis: OSCILLATOR XO 100MHZ HCSL SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDMS86202ET120

FDMS86202ET120

Opis: MOSFET N-CH 120V POWER56

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SQA401EJ-T1_GE3

SQA401EJ-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.75A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
STD3NK60Z-1

STD3NK60Z-1

Opis: MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
SI4896DY-T1-E3

SI4896DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
3LN01SS-TL-H

3LN01SS-TL-H

Opis: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SQA470EEJ-T1_GE3

SQA470EEJ-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SC-70

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
CSD17483F4

CSD17483F4

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
RFQ
FDMC15N06

FDMC15N06

Opis: MOSFET N-CH 55V 2.4A MLP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SQA442EJ-T1_GE3

SQA442EJ-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQA470EJ-T1_GE3

SQA470EJ-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.25A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQA403EJ-T1_GE3

SQA403EJ-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQA000002

SQA000002

Opis: OSC XO 100.000MHZ HCSL SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
SQA401EEJ-T1_GE3

SQA401EEJ-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 20V POWERPAK SC-70

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.