Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SQA401EJ-T1_GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5863006Obraz SQA401EJ-T1_GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SQA401EJ-T1_GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.64
10+
$0.54
100+
$0.405
500+
$0.297
1000+
$0.23
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SQA401EJ-T1_GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 20V 3.75A SC70-6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SQA401EJ-T1_GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    13.6W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    PowerPAK® SC-70-6
  • Inne nazwy
    SQA401EJ-T1_GE3CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    330pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    5.5nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 20V 3.75A (Tc) 13.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3.75A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SQA401EJ-T1_GE3”.
SQA000001

SQA000001

Opis: OSCILLATOR XO 100MHZ HCSL SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
TK62N60W,S1VF

TK62N60W,S1VF

Opis: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
AUIRF7647S2TR

AUIRF7647S2TR

Opis: MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
STP120NF10

STP120NF10

Opis: MOSFET N-CH 100V 110A TO-220

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
SQA000002

SQA000002

Opis: OSC XO 100.000MHZ HCSL SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
SQA410EJ-T1_GE3

SQA410EJ-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 7.8A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
CSD18532NQ5BT

CSD18532NQ5BT

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
RFQ
SI4840BDY-T1-GE3

SI4840BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQA470EEJ-T1_GE3

SQA470EEJ-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SC-70

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQA470EJ-T1_GE3

SQA470EJ-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.25A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQA442EJ-T1_GE3

SQA442EJ-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQA403EJ-T1_GE3

SQA403EJ-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
FDMS8558SDC

FDMS8558SDC

Opis: MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQP15P12

FQP15P12

Opis: MOSFET P-CH 120V 15A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
AUIRF2805S

AUIRF2805S

Opis: MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SQA405EJ-T1_GE3

SQA405EJ-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 40V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IPB020N04NGATMA1

IPB020N04NGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRFB7437PBF

IRFB7437PBF

Opis: MOSFET N CH 40V 195A TO220

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SQA401EEJ-T1_GE3

SQA401EEJ-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 20V POWERPAK SC-70

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRF7820PBF

IRF7820PBF

Opis: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.