Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SQ9945AEY-T1-E3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
7044553

SQ9945AEY-T1-E3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SQ9945AEY-T1-E3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SQ9945AEY-T1-E3.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    80 mOhm @ 3.7A, 10V
  • Moc - Max
    2.4W
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    -
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Logic Level Gate
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.7A 2.4W Surface Mount 8-SO
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3.7A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SQ9945AEY-T1-E3”.
NVMD6N03R2G

NVMD6N03R2G

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SIA914ADJ-T1-GE3

SIA914ADJ-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NTLGD3502NT2G

NTLGD3502NT2G

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMD2C02R2

NTMD2C02R2

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
DMN2023UCB4-7

DMN2023UCB4-7

Opis: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APTM50AM25FTG

APTM50AM25FTG

Opis: MOSFET 2N-CH 500V 149A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
SI5906DU-T1-GE3

SI5906DU-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRF7754

IRF7754

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SSM6L13TU(T5L,F,T)

SSM6L13TU(T5L,F,T)

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SI7945DP-T1-E3

SI7945DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
APTSM120AM14CD3AG

APTSM120AM14CD3AG

Opis: POWER MODULE - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
BSS84V-7

BSS84V-7

Opis: MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT-563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
SQ9945BEY-T1_GE3

SQ9945BEY-T1_GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BUK7K5R1-30E,115

BUK7K5R1-30E,115

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
SI5504BDC-T1-GE3

SI5504BDC-T1-GE3

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SQ9407EY-T1_GE3

SQ9407EY-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1902CDL-T1-GE3

SI1902CDL-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SSM6P35FE(TE85L,F)

SSM6P35FE(TE85L,F)

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
IRF7105TRPBF

IRF7105TRPBF

Opis: MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM180D12P2C101

BSM180D12P2C101

Opis: MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.