Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > BSM180D12P2C101
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4466958Obraz BSM180D12P2C101.LAPIS Semiconductor

BSM180D12P2C101

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$434.97
10+
$418.861
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    BSM180D12P2C101
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.BSM180D12P2C101.pdf
    2.BSM180D12P2C101.pdf
    3.BSM180D12P2C101.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 35.2mA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Module
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    -
  • Moc - Max
    1130W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    Module
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    23000pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    -
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Cecha FET
    Silicon Carbide (SiC)
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 204A (Tc) 1130W Module
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    204A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „BSM180D12P2C101”.
BSM200GA120DLCSHOSA1

BSM200GA120DLCSHOSA1

Opis: IGBT 2 MED POWER 62MM-2

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM2-C

BSM2-C

Opis: CONN SPLICE 14-16 AWG CRIMP

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
BSM200GB170DLCHOSA1

BSM200GB170DLCHOSA1

Opis: IGBT 2 MED POWER 62MM-1

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM200GB120DN2HOSA1

BSM200GB120DN2HOSA1

Opis: IGBT 2 MED POWER 62MM-1

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM200GB120DLCHOSA1

BSM200GB120DLCHOSA1

Opis: IGBT 2 MED POWER 62MM-1

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM180D12P3C007

BSM180D12P3C007

Opis: SIC POWER MODULE

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
BSM200GA120DN2HOSA1

BSM200GA120DN2HOSA1

Opis: IGBT 2 MED POWER 62MM-2

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM2-X

BSM2-X

Opis: CONN SPLICE 14-16 AWG CRIMP

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
BSM150GB170DN2HOSA1

BSM150GB170DN2HOSA1

Opis: MODULE IGBT 1700V

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM200GA170DLCHOSA1

BSM200GA170DLCHOSA1

Opis: IGBT 2 MED POWER 62MM-2

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM15GP60BOSA1

BSM15GP60BOSA1

Opis: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM150GB120DN2HOSA1

BSM150GB120DN2HOSA1

Opis: IGBT 2 MED POWER 62MM-1

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM200GA120DLCHOSA1

BSM200GA120DLCHOSA1

Opis: IGBT 2 MED POWER 62MM-2

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM150GD60DLC

BSM150GD60DLC

Opis: IGBT BSM150GD60DLCBOSA1

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM150GB60DLCHOSA1

BSM150GB60DLCHOSA1

Opis: IGBT MODULE 600V 180A

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM15GD120DLCE3224BOSA1

BSM15GD120DLCE3224BOSA1

Opis: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM15GP120BOSA1

BSM15GP120BOSA1

Opis: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM15GD120DN2E3224BOSA1

BSM15GD120DN2E3224BOSA1

Opis: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM150GB170DLCHOSA1

BSM150GB170DLCHOSA1

Opis: IGBT 2 MED POWER 62MM-1

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSM15GD120DN2BOSA1

BSM15GD120DN2BOSA1

Opis: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.