Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIZ322DT-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
422590Obraz SIZ322DT-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIZ322DT-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.387
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIZ322DT-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIZ322DT-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-Power33 (3x3)
  • Seria
    TrenchFET® Gen IV
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    6.35 mOhm @ 15A, 10V
  • Moc - Max
    16.7W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-PowerWDFN
  • Inne nazwy
    SIZ322DT-T1-GE3TR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    950pF @ 12.5V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    20.1nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Standard
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    25V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 30A (Tc) 16.7W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIZ322DT-T1-GE3”.
SIZ790DT-T1-GE3

SIZ790DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ730DT-T1-GE3

SIZ730DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ902DT-T1-GE3

SIZ902DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ728DT-T1-GE3

SIZ728DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ700DT-T1-GE3

SIZ700DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ328DT-T1-GE3

SIZ328DT-T1-GE3

Opis: MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ348DT-T1-GE3

SIZ348DT-T1-GE3

Opis: MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ704DT-T1-GE3

SIZ704DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ300DT-T1-GE3

SIZ300DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ346DT-T1-GE3

SIZ346DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8-POWER33

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ900DT-T1-GE3

SIZ900DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ340DT-T1-GE3

SIZ340DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAIR3X3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ904DT-T1-GE3

SIZ904DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ342DT-T1-GE3

SIZ342DT-T1-GE3

Opis: MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ320DT-T1-GE3

SIZ320DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ350DT-T1-GE3

SIZ350DT-T1-GE3

Opis: MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ720DT-T1-GE3

SIZ720DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ710DT-T1-GE3

SIZ710DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ200DT-T1-GE3

SIZ200DT-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH DUAL 30V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ702DT-T1-GE3

SIZ702DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.