Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIZ710DT-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
421701Obraz SIZ710DT-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIZ710DT-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.692
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIZ710DT-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIZ710DT-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    6-PowerPair™
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    6.8 mOhm @ 19A, 10V
  • Moc - Max
    27W, 48W
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    6-PowerPair™
  • Inne nazwy
    SIZ710DT-T1-GE3TR
    SIZ710DTT1GE3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    820pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Cecha FET
    Logic Level Gate
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair™
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    16A, 35A
  • Podstawowy numer części
    SIZ710

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIZ710DT-T1-GE3”.
SIZ350DT-T1-GE3

SIZ350DT-T1-GE3

Opis: MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ904DT-T1-GE3

SIZ904DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ720DT-T1-GE3

SIZ720DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ340DT-T1-GE3

SIZ340DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAIR3X3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ790DT-T1-GE3

SIZ790DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ900DT-T1-GE3

SIZ900DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ730DT-T1-GE3

SIZ730DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ916DT-T1-GE3

SIZ916DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ346DT-T1-GE3

SIZ346DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8-POWER33

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ910DT-T1-GE3

SIZ910DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ914DT-T1-GE3

SIZ914DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ702DT-T1-GE3

SIZ702DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ728DT-T1-GE3

SIZ728DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ704DT-T1-GE3

SIZ704DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ322DT-T1-GE3

SIZ322DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ328DT-T1-GE3

SIZ328DT-T1-GE3

Opis: MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ348DT-T1-GE3

SIZ348DT-T1-GE3

Opis: MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ700DT-T1-GE3

SIZ700DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ902DT-T1-GE3

SIZ902DT-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIZ342DT-T1-GE3

SIZ342DT-T1-GE3

Opis: MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.