Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIHH21N60E-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4897294Obraz SIHH21N60E-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHH21N60E-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIHH21N60E-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 20A POWERPAK8X8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIHH21N60E-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® 8 x 8
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    176 mOhm @ 11A, 10V
  • Strata mocy (max)
    104W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    8-PowerTDFN
  • Inne nazwy
    SIHH21N60E-T1-GE3CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2015pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    83nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 20A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIHH21N60E-T1-GE3”.
SIHH14N65EF-T1-GE3

SIHH14N65EF-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 650V 15A POWERPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH24N65EF-T1-GE3

SIHH24N65EF-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH21N60EF-T1-GE3

SIHH21N60EF-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V 19A POWERPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH26N60EF-T1-GE3

SIHH26N60EF-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH11N60EF-T1-GE3

SIHH11N60EF-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH24N65E-T1-GE3

SIHH24N65E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH11N60E-T1-GE3

SIHH11N60E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH20N50E-T1-GE3

SIHH20N50E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 22A POWERPAK8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH11N65EF-T1-GE3

SIHH11N65EF-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH21N65E-T1-GE3

SIHH21N65E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH28N60E-T1-GE3

SIHH28N60E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH14N65E-T1-GE3

SIHH14N65E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 15A PWRPAK 8X8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH14N60EF-T1-GE3

SIHH14N60EF-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 15A POWERPAK8X8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH11N65E-T1-GE3

SIHH11N65E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 650V 12A POWERPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHJ10N60E-T1-GE3

SIHJ10N60E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH14N60E-T1-GE3

SIHH14N60E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 16A POWERPAK8X8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH26N60E-T1-GE3

SIHH26N60E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH27N60EF-T1-GE3

SIHH27N60EF-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH120N60E-T1-GE3

SIHH120N60E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V PPAK 8X8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH21N65EF-T1-GE3

SIHH21N65EF-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 19.8A POWERPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.