Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIHH11N60E-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2642668Obraz SIHH11N60E-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHH11N60E-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIHH11N60E-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIHH11N60E-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® 8 x 8
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    339 mOhm @ 5.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    114W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    8-PowerTDFN
  • Inne nazwy
    SIHH11N60E-T1-GE3CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1076pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    62nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 11A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIHH11N60E-T1-GE3”.
SIHG61N65EF-GE3

SIHG61N65EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH14N60EF-T1-GE3

SIHH14N60EF-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 15A POWERPAK8X8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH14N60E-T1-GE3

SIHH14N60E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 16A POWERPAK8X8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHG70N60AEF-GE3

SIHG70N60AEF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH120N60E-T1-GE3

SIHH120N60E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V PPAK 8X8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH14N65EF-T1-GE3

SIHH14N65EF-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 650V 15A POWERPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH20N50E-T1-GE3

SIHH20N50E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 22A POWERPAK8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH11N65EF-T1-GE3

SIHH11N65EF-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH11N65E-T1-GE3

SIHH11N65E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 650V 12A POWERPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHG73N60E-GE3

SIHG73N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHG73N60AE-GE3

SIHG73N60AE-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHG64N65E-GE3

SIHG64N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHG80N60E-GE3

SIHG80N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHG70N60EF-GE3

SIHG70N60EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHG47N65E-GE3

SIHG47N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH14N65E-T1-GE3

SIHH14N65E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 15A PWRPAK 8X8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHG73N60E-E3

SIHG73N60E-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH11N60EF-T1-GE3

SIHH11N60EF-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHG73N60AEL-GE3

SIHG73N60AEL-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V TO-247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHH21N60E-T1-GE3

SIHH21N60E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A POWERPAK8X8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.