Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIA416DJ-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
744574Obraz SIA416DJ-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIA416DJ-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.30
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIA416DJ-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIA416DJ-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    83 mOhm @ 3.2A, 10V
  • Strata mocy (max)
    3.5W (Ta), 19W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    PowerPAK® SC-70-6
  • Inne nazwy
    SIA416DJ-T1-GE3TR
    SIA416DJT1GE3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    295pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    10nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 11.3A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    11.3A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIA416DJ-T1-GE3”.
SIA413DJ-T1-GE3

SIA413DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA418DJ-T1-GE3

SIA418DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA411DJ-T1-GE3

SIA411DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA400EDJ-T1-GE3

SIA400EDJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA413ADJ-T1-GE3

SIA413ADJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA415DJ-T1-GE3

SIA415DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA411DJ-T1-E3

SIA411DJ-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA427DJ-T1-GE3

SIA427DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA425EDJ-T1-GE3

SIA425EDJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA419DJ-T1-GE3

SIA419DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA408DJ-T1-GE3

SIA408DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA427ADJ-T1-GE3

SIA427ADJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA110DJ-T1-GE3

SIA110DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SC-7

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA406DJ-T1-GE3

SIA406DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 4.5A SC-70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA417DJ-T1-GE3

SIA417DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA426DJ-T1-GE3

SIA426DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA430DJ-T1-GE3

SIA430DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA414DJ-T1-GE3

SIA414DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA429DJT-T1-GE3

SIA429DJT-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA421DJ-T1-GE3

SIA421DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

Producenci: Vishay Siliconix
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.