Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIA426DJ-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3421743Obraz SIA426DJ-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIA426DJ-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.435
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIA426DJ-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIA426DJ-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    23.6 mOhm @ 9.9A, 10V
  • Strata mocy (max)
    3.5W (Ta), 19W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    PowerPAK® SC-70-6
  • Inne nazwy
    SIA426DJ-T1-GE3TR
    SIA426DJT1GE3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1020pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    27nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 4.5A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4.5A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIA426DJ-T1-GE3”.
SIA416DJ-T1-GE3

SIA416DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA415DJ-T1-GE3

SIA415DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA425EDJ-T1-GE3

SIA425EDJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA433EDJ-T1-GE3

SIA433EDJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA414DJ-T1-GE3

SIA414DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA437DJ-T1-GE3

SIA437DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 29.7A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA429DJT-T1-GE3

SIA429DJT-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA436DJ-T1-GE3

SIA436DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA427DJ-T1-GE3

SIA427DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA418DJ-T1-GE3

SIA418DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA417DJ-T1-GE3

SIA417DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA431DJ-T1-GE3

SIA431DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

Producenci: Vishay Siliconix
Na stanie
RFQ
SIA432DJ-T1-GE3

SIA432DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA419DJ-T1-GE3

SIA419DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA430DJ-T1-GE3

SIA430DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA427ADJ-T1-GE3

SIA427ADJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA430DJT-T1-GE3

SIA430DJT-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA413ADJ-T1-GE3

SIA413ADJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA413DJ-T1-GE3

SIA413DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIA421DJ-T1-GE3

SIA421DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

Producenci: Vishay Siliconix
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.