Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI7818DN-T1-GE3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

6423248

Obraz SI7818DN-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7818DN-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

1+

$1.99

10+

$1.763

100+

$1.393

500+

$1.08

1000+

$0.853

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SI7818DN-T1-GE3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SI7818DN-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

PowerPAK® 1212-8
Seria

TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

135 mOhm @ 3.4A, 10V
Strata mocy (max)

1.5W (Ta)
Opakowania

Cut Tape (CT)
Package / Case

PowerPAK® 1212-8
Inne nazwy

SI7818DN-T1-GE3CT
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

33 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

30nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

150V
szczegółowy opis

N-Channel 150V 2.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

2.2A (Ta)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SI7818DN-T1-GE3”.

SI7844DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7812DN-T1-GE3

SI7812DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7806ADN-T1-E3

SI7806ADN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7810DN-T1-GE3

SI7810DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7846DP-T1-GE3

SI7846DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7818DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7820DN-T1-GE3

SI7820DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7842DP-T1-GE3

SI7842DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7810DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7846DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7842DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7840BDP-T1-GE3

SI7840BDP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7840BDP-T1-E3

SI7840BDP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7820DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7802DN-T1-GE3

SI7802DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7804DN-T1-GE3

SI7804DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7812DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7804DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7844DP-T1-GE3

SI7844DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7806ADN-T1-GE3

SI7806ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.