Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI7802DN-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1864338Obraz SI7802DN-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7802DN-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI7802DN-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI7802DN-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.6V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® 1212-8
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    435 mOhm @ 1.95A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.5W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    PowerPAK® 1212-8
  • Inne nazwy
    SI7802DN-T1-GE3TR
    SI7802DNT1GE3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    21nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    250V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 250V 1.24A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.24A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI7802DN-T1-GE3”.
SI7774DP-T1-GE3

SI7774DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7818DN-T1-E3

SI7818DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7812DN-T1-E3

SI7812DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7784DP-T1-GE3

SI7784DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7794DP-T1-GE3

SI7794DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7790DP-T1-GE3

SI7790DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7802DN-T1-E3

SI7802DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7806ADN-T1-GE3

SI7806ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7818DN-T1-GE3

SI7818DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7748DP-T1-GE3

SI7748DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7804DN-T1-GE3

SI7804DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7792DP-T1-GE3

SI7792DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7812DN-T1-GE3

SI7812DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7810DN-T1-E3

SI7810DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7788DP-T1-GE3

SI7788DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7806ADN-T1-E3

SI7806ADN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7810DN-T1-GE3

SI7810DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7804DN-T1-E3

SI7804DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7758DP-T1-GE3

SI7758DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7772DP-T1-GE3

SI7772DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.