Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI7621DN-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3717036Obraz SI7621DN-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7621DN-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI7621DN-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI7621DN-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® 1212-8
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    90 mOhm @ 3.9A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    3.1W (Ta), 12.5W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    PowerPAK® 1212-8
  • Inne nazwy
    SI7621DN-T1-GE3TR
    SI7621DNT1GE3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    300pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    6.2nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 20V 4A (Tc) 3.1W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI7621DN-T1-GE3”.
SI7601DN-T1-E3

SI7601DN-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7635DP-T1-GE3

SI7635DP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7625DN-T1-GE3

SI7625DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7633DP-T1-GE3

SI7633DP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7611DN-T1-GE3

SI7611DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7636DP-T1-E3

SI7636DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7615DN-T1-GE3

SI7615DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7617DN-T1-GE3

SI7617DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7619DN-T1-GE3

SI7619DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7613DN-T1-GE3

SI7613DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7634BDP-T1-E3

SI7634BDP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7615CDN-T1-GE3

SI7615CDN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 35A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7655ADN-T1-GE3

SI7655ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7623DN-T1-GE3

SI7623DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7601DN-T1-GE3

SI7601DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7620DN-T1-GE3

SI7620DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7629DN-T1-GE3

SI7629DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7615ADN-T1-GE3

SI7615ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7634BDP-T1-GE3

SI7634BDP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7636DP-T1-GE3

SI7636DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.