Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI7615DN-T1-GE3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

1585530

Obraz SI7615DN-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7615DN-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.757

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SI7615DN-T1-GE3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SI7615DN-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

PowerPAK® 1212-8
Seria

TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

3.9 mOhm @ 20A, 10V
Strata mocy (max)

3.7W (Ta), 52W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

PowerPAK® 1212-8
Inne nazwy

SI7615DN-T1-GE3-ND
SI7615DN-T1-GE3TR
SI7615DNT1GE3
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

32 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

6000pF @ 10V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

183nC @ 10V
Rodzaj FET

P-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

20V
szczegółowy opis

P-Channel 20V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SI7615DN-T1-GE3”.

SI7617DN-T1-GE3

SI7617DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7615CDN-T1-GE3

SI7615CDN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 35A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7540ADP-T1-GE3

SI7540ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N/P-CH POWERPAK8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7625DN-T1-GE3

SI7625DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7621DN-T1-GE3

SI7621DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7634BDP-T1-E3

SI7634BDP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7619DN-T1-GE3

SI7619DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7601DN-T1-GE3

SI7601DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7633DP-T1-GE3

SI7633DP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7629DN-T1-GE3

SI7629DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7540DP-T1-GE3

SI7540DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7530DP-T1-E3

Opis: MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7634BDP-T1-GE3

SI7634BDP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7601DN-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7613DN-T1-GE3

SI7613DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7615ADN-T1-GE3

SI7615ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7623DN-T1-GE3

SI7623DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7611DN-T1-GE3

SI7611DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7620DN-T1-GE3

SI7620DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7540DP-T1-E3

Opis: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.