Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI7309DN-T1-GE3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

6841176

Obraz SI7309DN-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7309DN-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.483

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SI7309DN-T1-GE3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SI7309DN-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

PowerPAK® 1212-8
Seria

TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

115 mOhm @ 3.9A, 10V
Strata mocy (max)

3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

PowerPAK® 1212-8
Inne nazwy

SI7309DN-T1-GE3-ND
SI7309DN-T1-GE3TR
SI7309DNT1GE3
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

33 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

600pF @ 30V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

22nC @ 10V
Rodzaj FET

P-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

60V
szczegółowy opis

P-Channel 60V 8A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SI7309DN-T1-GE3”.

SI7315DN-T1-GE3

SI7315DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7302DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7308DN-T1-GE3

SI7308DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7322DN-T1-GE3

SI7322DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7302DN-T1-GE3

SI7302DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7272DP-T1-GE3

SI7272DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7270DP-T1-GE3

SI7270DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7336ADP-T1-E3

SI7336ADP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7328DN-T1-GE3

SI7328DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7322ADN-T1-GE3

SI7322ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 15.1A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7308DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI72XX-EVAL-KIT

SI72XX-EVAL-KIT

Opis: SI72XX HALL EFFECT MAGNETIC SENS

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI72XX-WD-KIT

Opis: DEMO AND DEVELOPMENT KIT FOR SI7

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI7288DP-T1-GE3

SI7288DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7326DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7328DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7326DN-T1-GE3

SI7326DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8

Producenci: Vishay Siliconix

Na stanie

SI7317DN-T1-GE3

SI7317DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 150V 2.8A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7322DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7309DN-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.