Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI7302DN-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3488489Obraz SI7302DN-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7302DN-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI7302DN-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI7302DN-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® 1212-8
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    320 mOhm @ 2.3A, 10V
  • Strata mocy (max)
    3.8W (Ta), 52W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    PowerPAK® 1212-8
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    645pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    21nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    220V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 220V 8.4A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    8.4A (Tc)

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI7302DN-T1-GE3”.
SI7322DN-T1-GE3

SI7322DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7322ADN-T1-GE3

SI7322ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 15.1A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7236DP-T1-GE3

SI7236DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7315DN-T1-GE3

SI7315DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7309DN-T1-GE3

SI7309DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7308DN-T1-E3

SI7308DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7236DP-T1-E3

SI7236DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7252DP-T1-GE3

SI7252DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI72XX-EVAL-KIT

SI72XX-EVAL-KIT

Opis: SI72XX HALL EFFECT MAGNETIC SENS

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI7270DP-T1-GE3

SI7270DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7308DN-T1-GE3

SI7308DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7302DN-T1-E3

SI7302DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI72XX-WD-KIT

SI72XX-WD-KIT

Opis: DEMO AND DEVELOPMENT KIT FOR SI7

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI7322DN-T1-E3

SI7322DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7234DP-T1-GE3

SI7234DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7309DN-T1-E3

SI7309DN-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7326DN-T1-E3

SI7326DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7288DP-T1-GE3

SI7288DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7317DN-T1-GE3

SI7317DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 150V 2.8A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7272DP-T1-GE3

SI7272DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.