Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI5858DU-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1055594Obraz SI5858DU-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5858DU-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI5858DU-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI5858DU-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® ChipFet Dual
  • Seria
    LITTLE FOOT®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    2.3W (Ta), 8.3W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    PowerPAK® ChipFET™ Dual
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    520pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    16nC @ 8V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    Schottky Diode (Isolated)
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 6A (Tc) 2.3W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI5858DU-T1-GE3”.
SI570-PROG-EVB

SI570-PROG-EVB

Opis: KIT DEV SI570 I2C PROGR OSC

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI5902DC-T1-E3

SI5902DC-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5904DC-T1-GE3

SI5904DC-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5903DC-T1-GE3

SI5903DC-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5903DC-T1-E3

SI5903DC-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5857DU-T1-GE3

SI5857DU-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5905BDC-T1-E3

SI5905BDC-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5853DDC-T1-E3

SI5853DDC-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5905DC-T1-E3

SI5905DC-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5904DC-T1-E3

SI5904DC-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5853CDC-T1-E3

SI5853CDC-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5855DC-T1-E3

SI5855DC-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5905BDC-T1-GE3

SI5905BDC-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5902BDC-T1-GE3

SI5902BDC-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5902BDC-T1-E3

SI5902BDC-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5855CDC-T1-E3

SI5855CDC-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5853DC-T1-E3

SI5853DC-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5858DU-T1-E3

SI5858DU-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5856DC-T1-E3

SI5856DC-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5857DU-T1-E3

SI5857DU-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.