Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI5902BDC-T1-GE3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

5836684

Obraz SI5902BDC-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5902BDC-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

1+

$1.58

10+

$1.395

100+

$1.103

500+

$0.855

1000+

$0.675

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SI5902BDC-T1-GE3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SI5902BDC-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Dostawca urządzeń Pakiet

1206-8 ChipFET™
Seria

TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

65 mOhm @ 3.1A, 10V
Moc - Max

3.12W
Opakowania

Original-Reel®
Package / Case

8-SMD, Flat Lead
Inne nazwy

SI5902BDC-T1-GE3DKR
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

33 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

220pF @ 15V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

7nC @ 10V
Rodzaj FET

2 N-Channel (Dual)
Cecha FET

Logic Level Gate
Spust do źródła napięcia (Vdss)

30V
szczegółowy opis

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

4A
Podstawowy numer części

SI5902

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SI5902BDC-T1-GE3”.

SI5906DU-T1-GE3

SI5906DU-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5855DC-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5858DU-T1-GE3

SI5858DU-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5856DC-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5903DC-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5855CDC-T1-E3

SI5855CDC-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5853DC-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5905BDC-T1-E3

SI5905BDC-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5905DC-T1-GE3

SI5905DC-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5853DDC-T1-E3

SI5853DDC-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5903DC-T1-GE3

SI5903DC-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5857DU-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5902DC-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5858DU-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5904DC-T1-GE3

SI5904DC-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5905BDC-T1-GE3

SI5905BDC-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5904DC-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5905DC-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5857DU-T1-GE3

SI5857DU-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5902BDC-T1-E3

SI5902BDC-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.