Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI5403DC-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1332904Obraz SI5403DC-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5403DC-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.24
10+
$1.102
100+
$0.871
500+
$0.675
1000+
$0.533
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI5403DC-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI5403DC-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    1206-8 ChipFET™
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    30 mOhm @ 7.2A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    8-SMD, Flat Lead
  • Inne nazwy
    SI5403DC-T1-GE3DKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1340pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 30V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI5403DC-T1-GE3”.
SI5397K-A-GM

SI5397K-A-GM

Opis: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI5402DC-T1-GE3

SI5402DC-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5406CDC-T1-GE3

SI5406CDC-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5402DC-T1-E3

SI5402DC-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5404BDC-T1-E3

SI5404BDC-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5402BDC-T1-E3

SI5402BDC-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5411EDU-T1-GE3

SI5411EDU-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5406DC-T1-GE3

SI5406DC-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5402BDC-T1-GE3

SI5402BDC-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5415EDU-T1-GE3

SI5415EDU-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK CHIPFET

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5404BDC-T1-GE3

SI5404BDC-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5397M-A-GM

SI5397M-A-GM

Opis: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI5401DC-T1-E3

SI5401DC-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5401DC-T1-GE3

SI5401DC-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5415AEDU-T1-GE3

SI5415AEDU-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 25A CHIPFET

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5397L-A-GM

SI5397L-A-GM

Opis: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI5410DU-T1-GE3

SI5410DU-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5414DC-T1-GE3

SI5414DC-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5406DC-T1-E3

SI5406DC-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5397J-A-GM

SI5397J-A-GM

Opis: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.