Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI5401DC-T1-E3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

5779259

Obraz SI5401DC-T1-E3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5401DC-T1-E3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SI5401DC-T1-E3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SI5401DC-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (maks.)

±8V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

1206-8 ChipFET™
Seria

TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

32 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Strata mocy (max)

1.3W (Ta)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

8-SMD, Flat Lead
Inne nazwy

SI5401DC-T1-E3TR
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

25nC @ 4.5V
Rodzaj FET

P-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

20V
szczegółowy opis

P-Channel 20V 5.2A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

5.2A (Ta)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SI5401DC-T1-E3”.

SI5397A-A-GM

SI5397A-A-GM

Opis: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI5406DC-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5401DC-T1-GE3

SI5401DC-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5397B-A-GM

SI5397B-A-GM

Opis: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI5397M-A-GM

SI5397M-A-GM

Opis: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI5397L-A-GM

SI5397L-A-GM

Opis: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI5402DC-T1-GE3

SI5402DC-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5402BDC-T1-GE3

SI5402BDC-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5402DC-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5404BDC-T1-GE3

SI5404BDC-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5397C-A-GM

SI5397C-A-GM

Opis: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI5397A-A-EVB

SI5397A-A-EVB

Opis: EVAL

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI5404BDC-T1-E3

SI5404BDC-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5402BDC-T1-E3

SI5402BDC-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5397K-A-GM

SI5397K-A-GM

Opis: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI5397J-A-GM

SI5397J-A-GM

Opis: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI5403DC-T1-GE3

SI5403DC-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5397D-A-GM

SI5397D-A-GM

Opis: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI5406CDC-T1-GE3

SI5406CDC-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI5396K-A-GM

SI5396K-A-GM

Opis: DUAL PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.