Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI4110DY-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6433135

SI4110DY-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI4110DY-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI4110DY-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    13 mOhm @ 11.7A, 10V
  • Strata mocy (max)
    3.6W (Ta), 7.8W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    SI4110DY-T1-GE3TR
    SI4110DYT1GE3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2205pF @ 40V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    53nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    80V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 80V 17.3A (Tc) 3.6W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    17.3A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI4110DY-T1-GE3”.
SI4104DY-T1-E3

SI4104DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4100DY-T1-GE3

SI4100DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4102DY-T1-GE3

SI4102DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4102DY-T1-E3

SI4102DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4112-D-GMR

SI4112-D-GMR

Opis: IC SYNTHESIZER IF ONLY 28MLP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4112-D-GT

SI4112-D-GT

Opis: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4104DY-T1-GE3

SI4104DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4112M-EVB

SI4112M-EVB

Opis: BOARD EVALUATION FOR SI4112

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4113-D-GM

SI4113-D-GM

Opis: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4100DY-T1-E3

SI4100DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4112-EVB

SI4112-EVB

Opis: BOARD EVALUATION FOR SI4112

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4108DY-T1-GE3

SI4108DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4112-D-GTR

SI4112-D-GTR

Opis: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4103DY-T1-GE3

SI4103DY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4090DY-T1-GE3

SI4090DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4112-BM

SI4112-BM

Opis: IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4112-BT

SI4112-BT

Opis: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4112-D-GM

SI4112-D-GM

Opis: IC SYNTHESIZER IF ONLY 28QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4113-BT

SI4113-BT

Opis: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI4101DY-T1-GE3

SI4101DY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.