Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI4100DY-T1-E3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5782371

SI4100DY-T1-E3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.58
10+
$1.395
100+
$1.103
500+
$0.855
1000+
$0.675
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI4100DY-T1-E3
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    63 mOhm @ 4.4A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.5W (Ta), 6W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    SI4100DY-T1-E3CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    33 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    600pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 6.8A (Tc) 2.5W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6.8A (Tc)
SI4103DY-T1-GE3

SI4103DY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SI4100DY-T1-GE3

SI4100DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SI4063-B1B-FMR

SI4063-B1B-FMR

Opis: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI4063-C2A-GM

SI4063-C2A-GM

Opis: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI4090DY-T1-GE3

SI4090DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SI4104DY-T1-E3

SI4104DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SI4110DY-T1-GE3

SI4110DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SI4063-B1B-FM

SI4063-B1B-FM

Opis: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI4063-B0B-FM

SI4063-B0B-FM

Opis: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI4062DY-T1-GE3

SI4062DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-SO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SI4063-C2A-GMR

SI4063-C2A-GMR

Opis: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI4102DY-T1-GE3

SI4102DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SI4060-C2A-GM

SI4060-C2A-GM

Opis: EZ RADIO PRO SUB GHZ TRANSMITTER

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI4101DY-T1-GE3

SI4101DY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SI4102DY-T1-E3

SI4102DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SI4104DY-T1-GE3

SI4104DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SI4060-C2A-GMR

SI4060-C2A-GMR

Opis: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI4108DY-T1-GE3

SI4108DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SI4112-BM

SI4112-BM

Opis: IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI4060-B1B-FMR

SI4060-B1B-FMR

Opis: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść