Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI2309CDS-T1-E3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2684454

SI2309CDS-T1-E3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.214
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI2309CDS-T1-E3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI2309CDS-T1-E3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    345 mOhm @ 1.25A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1W (Ta), 1.7W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    SI2309CDS-T1-E3-ND
    SI2309CDS-T1-E3TR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    33 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    210pF @ 30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    4.1nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 60V 1.6A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.6A (Tc)
  • Podstawowy numer części
    SI2309

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI2309CDS-T1-E3”.
SI2307BDS-T1-E3

SI2307BDS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2307CDS-T1-E3

SI2307CDS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2312BDS-T1-E3

SI2312BDS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2308DS-T1-E3

SI2308DS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2314EDS-T1-E3

SI2314EDS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2307BDS-T1-GE3

SI2307BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2310-TP

SI2310-TP

Opis: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
SI2311DS-T1-GE3

SI2311DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2312BDS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2308CDS-T1-GE3

SI2308CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2306BDS-T1-GE3

SI2306BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2312-TP

SI2312-TP

Opis: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
SI2309CDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2312CDS-T1-GE3

SI2312CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2307-TP

SI2307-TP

Opis: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2308BDS-T1-E3

SI2308BDS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2311DS-T1-E3

SI2311DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2307CDS-T1-GE3

SI2307CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2309DS-T1-E3

SI2309DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.