Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI2310-TP
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1192374

SI2310-TP

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.56
10+
$0.405
100+
$0.239
500+
$0.135
1000+
$0.104
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI2310-TP
  • Producent / marka
    Micro Commercial Components (MCC)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI2310-TP.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    125 mOhm @ 3A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    350mW (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    SI2310-TPMSCT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    22 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    247pF @ 30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    6nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 3A (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI2310-TP”.
SI2314EDS-T1-E3

SI2314EDS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2309DS-T1-E3

SI2309DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2307CDS-T1-E3

SI2307CDS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2307BDS-T1-GE3

SI2307BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2307CDS-T1-GE3

SI2307CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2308CDS-T1-GE3

SI2308CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2308DS-T1-E3

SI2308DS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2312BDS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2309CDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2312CDS-T1-GE3

SI2312CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2315BDS-T1-GE3

SI2315BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2315BDS-T1-E3

SI2315BDS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2314EDS-T1-GE3

SI2314EDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2312-TP

SI2312-TP

Opis: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
SI2311DS-T1-E3

SI2311DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2311DS-T1-GE3

SI2311DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2312BDS-T1-E3

SI2312BDS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2308BDS-T1-E3

SI2308BDS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI2309CDS-T1-E3

SI2309CDS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.