Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N4006GPE-M3/54
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5926280

1N4006GPE-M3/54

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N4006GPE-M3/54
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURPOSE DO-204AL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Seria
    *
  • Inne nazwy
    1N4006GPE-M3/54GI
    1N4006GPE-M3/54GI-ND
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    Diode
1N4007

1N4007

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
1N4006GP-E3/73

1N4006GP-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N4006GL-T

1N4006GL-T

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
1N4006RL

1N4006RL

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
1N4006GPHE3/54

1N4006GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N4006TA

1N4006TA

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
1N4006GPHE3/73

1N4006GPHE3/73

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N4006GP

1N4006GP

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
1N4006GP-E3/54

1N4006GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N4006RLG

1N4006RLG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
1N4007

1N4007

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
1N4006T-G

1N4006T-G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
1N4006GHR0G

1N4006GHR0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
1N4006GPE-M3/73

1N4006GPE-M3/73

Opis: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N4006GHR1G

1N4006GHR1G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
1N4006GHB0G

1N4006GHB0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
1N4006GP-M3/73

1N4006GP-M3/73

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N4006GP-M3/54

1N4006GP-M3/54

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
1N4006L-T

1N4006L-T

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
1N4006GHA0G

1N4006GHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść