Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N4006GP-E3/54
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4748826Obraz 1N4006GP-E3/54.Electro-Films (EFI) / Vishay

1N4006GP-E3/54

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
5500+
$0.08
11000+
$0.073
27500+
$0.069
55000+
$0.063
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N4006GP-E3/54
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1N4006GP-E3/54.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.1V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    800V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-204AL (DO-41)
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    SUPERECTIFIER®
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    2µs
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Inne nazwy
    1N4006GP-E3/54-ND
    1N4006GP-E3/54GITR
    1N4006GPE354
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 800V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    8pF @ 4V, 1MHz
  • Podstawowy numer części
    1N4006

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „1N4006GP-E3/54”.
1N4006GPHE3/54

1N4006GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4006GPE-M3/73

1N4006GPE-M3/73

Opis: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4006GHR0G

1N4006GHR0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N4006G R1G

1N4006G R1G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N4006GHA0G

1N4006GHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N4006GP-M3/73

1N4006GP-M3/73

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4006G BK

1N4006G BK

Opis: DIODE GEN PURPOSE DO41

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N4006GPHE3/73

1N4006GPHE3/73

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4006GP-M3/54

1N4006GP-M3/54

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
1N4006GL-T

1N4006GL-T

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
1N4006GHR1G

1N4006GHR1G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N4006GPE-M3/54

1N4006GPE-M3/54

Opis: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4006GP-E3/73

1N4006GP-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4006RL

1N4006RL

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N4006GP

1N4006GP

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N4006L-T

1N4006L-T

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
1N4006G R0G

1N4006G R0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N4006RLG

1N4006RLG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N4006GHB0G

1N4006GHB0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N4006G-T

1N4006G-T

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.