Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > EPC8010
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2165988Obraz EPC8010.EPC

EPC8010

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$2.31
10+
$2.089
25+
$1.866
100+
$1.679
250+
$1.492
500+
$1.306
1000+
$1.082
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    EPC8010
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    +6V, -4V
  • Technologia
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Die
  • Seria
    eGaN®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    160 mOhm @ 500mA, 5V
  • Strata mocy (max)
    -
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    Die
  • Inne nazwy
    917-1086-1
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    55pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    0.48nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 2.7A (Ta) Surface Mount Die
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    2.7A (Ta)
EPC8QC100DM

EPC8QC100DM

Opis: IC CONFIG DEVICE

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
EPC8009

EPC8009

Opis: TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC8QC100

EPC8QC100

Opis: IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
EPC9002C

EPC9002C

Opis: BOARD DEV FOR EPC2001C 100V

Producenci: EPC
Na stanie
EPC8QI100

EPC8QI100

Opis: IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
EPC8003ENGR

EPC8003ENGR

Opis: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC8008ENGR

EPC8008ENGR

Opis: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC8009ENGR

EPC8009ENGR

Opis: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC8005ENGR

EPC8005ENGR

Opis: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC8002ENGR

EPC8002ENGR

Opis: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC8010ENGR

EPC8010ENGR

Opis: TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC8002

EPC8002

Opis: TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC8004ENGR

EPC8004ENGR

Opis: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC8007ENGR

EPC8007ENGR

Opis: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC9001

EPC9001

Opis: BOARD DEV FOR EPC2015 40V GAN

Producenci: EPC
Na stanie
EPC9001C

EPC9001C

Opis: BOARD DEV EPC2015C 40V EGAN

Producenci: EPC
Na stanie
EPC8QI100N

EPC8QI100N

Opis: IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
EPC8QC100N

EPC8QC100N

Opis: IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
EPC9002

EPC9002

Opis: BOARD DEV FOR EPC2001 100V GAN

Producenci: EPC
Na stanie
EPC8004

EPC8004

Opis: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść