Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > EPC8003ENGR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5826828Obraz EPC8003ENGR.EPC

EPC8003ENGR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$15.64
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    EPC8003ENGR
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Test
    38pF @ 50V
  • Napięcie - Podział
    Die
  • VGS (th) (Max) @ Id
    300 mOhm @ 500mA, 5V
  • Technologia
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Seria
    eGaN®
  • Stan RoHS
    Tray
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2.5A (Ta)
  • Polaryzacja
    Die
  • Inne nazwy
    917-EPC8003ENGR
    EPC8003ENGK
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    EPC8003ENGR
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    0.32nC @ 5V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    2.5V @ 250µA
  • Cecha FET
    N-Channel
  • Rozszerzony opis
    N-Channel 100V 2.5A (Ta) Surface Mount Die
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    -
  • Opis
    TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    100V
  • Stosunek pojemności
    -
EPC8004

EPC8004

Opis: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC8010

EPC8010

Opis: TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC4QI100N

EPC4QI100N

Opis: IC CONFIG DEVICE 4MBIT 100QFP

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
EPC8004ENGR

EPC8004ENGR

Opis: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC8008ENGR

EPC8008ENGR

Opis: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC8009

EPC8009

Opis: TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC8002

EPC8002

Opis: TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC8QC100

EPC8QC100

Opis: IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
EPC8009ENGR

EPC8009ENGR

Opis: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC4QC100

EPC4QC100

Opis: IC CONFIG DEVICE 4MBIT 100QFP

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
EPC8005ENGR

EPC8005ENGR

Opis: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2TI32

EPC2TI32

Opis: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 32TQFP

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
EPC2XXA

EPC2XXA

Opis: IC FPGA FBGA

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
EPC8007ENGR

EPC8007ENGR

Opis: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC8002ENGR

EPC8002ENGR

Opis: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC8010ENGR

EPC8010ENGR

Opis: TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC4QI100

EPC4QI100

Opis: IC CONFIG DEVICE 4MBIT 100QFP

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
EPC2TC32N

EPC2TC32N

Opis: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 32TQFP

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
EPC2TI32N

EPC2TI32N

Opis: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 32TQFP

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
EPC4QC100N

EPC4QC100N

Opis: IC CONFIG DEVICE 4MBIT 100QFP

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść