Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > EPC2030ENGRT
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6208618Obraz EPC2030ENGRT.EPC

EPC2030ENGRT

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$7.31
10+
$6.583
25+
$5.998
100+
$5.413
250+
$4.974
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    EPC2030ENGRT
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET NCH 40V 31A DIE
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 16mA
  • Vgs (maks.)
    +6V, -4V
  • Technologia
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Die
  • Seria
    eGaN®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2.4 mOhm @ 30A, 5V
  • Strata mocy (max)
    -
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    Die
  • Inne nazwy
    917-EPC2030ENGRDKR
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1900pF @ 20V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    18nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    40V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 40V 31A (Ta) Surface Mount Die
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    31A (Ta)
EPC2029ENGRT

EPC2029ENGRT

Opis: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2025

EPC2025

Opis: TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2024ENG

EPC2024ENG

Opis: TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2031ENGR

EPC2031ENGR

Opis: TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2032ENGR

EPC2032ENGR

Opis: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2032

EPC2032

Opis: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2025ENGR

EPC2025ENGR

Opis: TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2031ENGRT

EPC2031ENGRT

Opis: MOSFET NCH 60V 31A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2029

EPC2029

Opis: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2030ENGR

EPC2030ENGR

Opis: TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2030

EPC2030

Opis: MOSFET NCH 40V 31A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2033ENGRT

EPC2033ENGRT

Opis: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2024

EPC2024

Opis: MOSFET NCH 40V 60A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2033

EPC2033

Opis: TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2033ENGR

EPC2033ENGR

Opis: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2024ENGR

EPC2024ENGR

Opis: TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2034

EPC2034

Opis: TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2029ENGR

EPC2029ENGR

Opis: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2031

EPC2031

Opis: MOSFET NCH 60V 31A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2032ENGRT

EPC2032ENGRT

Opis: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść