Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > EPC2029ENGRT
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6641889Obraz EPC2029ENGRT.EPC

EPC2029ENGRT

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$11.53
10+
$10.37
25+
$9.432
100+
$8.538
250+
$7.823
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    EPC2029ENGRT
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Test
    1400pF @ 40V
  • Napięcie - Podział
    Die
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.2 mOhm @ 30A, 5V
  • Technologia
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Seria
    eGaN®
  • Stan RoHS
    Cut Tape (CT)
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    31A (Ta)
  • Polaryzacja
    Die
  • Inne nazwy
    917-EPC2029CENGRCT
    917-EPC2029CENGRCT-ND
    917-EPC2029CENGRTCT
    917-EPC2029CENGRTCT-ND
    917-EPC2029ENGRCT
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    EPC2029ENGRT
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    13nC @ 5V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    2.5V @ 12mA
  • Cecha FET
    N-Channel
  • Rozszerzony opis
    N-Channel 80V 31A (Ta) Surface Mount Die
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    -
  • Opis
    TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    80V
  • Stosunek pojemności
    -
EPC2025ENGR

EPC2025ENGR

Opis: TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2033

EPC2033

Opis: TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2030

EPC2030

Opis: MOSFET NCH 40V 31A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2024

EPC2024

Opis: MOSFET NCH 40V 60A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2031ENGRT

EPC2031ENGRT

Opis: MOSFET NCH 60V 31A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2032

EPC2032

Opis: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2030ENGRT

EPC2030ENGRT

Opis: MOSFET NCH 40V 31A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2023ENGR

EPC2023ENGR

Opis: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2031

EPC2031

Opis: MOSFET NCH 60V 31A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2032ENGR

EPC2032ENGR

Opis: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2029ENGR

EPC2029ENGR

Opis: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2029

EPC2029

Opis: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2023ENG

EPC2023ENG

Opis: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2031ENGR

EPC2031ENGR

Opis: TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2030ENGR

EPC2030ENGR

Opis: TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2023

EPC2023

Opis: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2024ENG

EPC2024ENG

Opis: TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2032ENGRT

EPC2032ENGRT

Opis: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2024ENGR

EPC2024ENGR

Opis: TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2025

EPC2025

Opis: TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść