Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > EPC2025ENGR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3862363Obraz EPC2025ENGR.EPC

EPC2025ENGR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    EPC2025ENGR
  • Producent / marka
    EPC
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    +6V, -4V
  • Technologia
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Die Outline (12-Solder Bar)
  • Seria
    eGaN®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    150 mOhm @ 3A, 5V
  • Strata mocy (max)
    -
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    Die
  • Inne nazwy
    917-EPC2025ENGR
    EPC2025ENGRC
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    194pF @ 240V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    1.85nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    300V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 300V 4A (Ta) Surface Mount Die Outline (12-Solder Bar)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „EPC2025ENGR”.
EPC2029

EPC2029

Opis: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2029ENGR

EPC2029ENGR

Opis: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2024

EPC2024

Opis: MOSFET NCH 40V 60A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2030

EPC2030

Opis: MOSFET NCH 40V 31A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2031ENGRT

EPC2031ENGRT

Opis: MOSFET NCH 60V 31A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2032

EPC2032

Opis: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2030ENGR

EPC2030ENGR

Opis: TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2024ENGR

EPC2024ENGR

Opis: TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2021ENGR

EPC2021ENGR

Opis: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2022ENGRT

EPC2022ENGRT

Opis: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2030ENGRT

EPC2030ENGRT

Opis: MOSFET NCH 40V 31A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2024ENG

EPC2024ENG

Opis: TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2023ENG

EPC2023ENG

Opis: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2025

EPC2025

Opis: TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2023ENGR

EPC2023ENGR

Opis: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2022

EPC2022

Opis: TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2029ENGRT

EPC2029ENGRT

Opis: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2023

EPC2023

Opis: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2031

EPC2031

Opis: MOSFET NCH 60V 31A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2031ENGR

EPC2031ENGR

Opis: TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.