Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > EPC2012CENGR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
68884Obraz EPC2012CENGR.EPC

EPC2012CENGR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$1.148
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    EPC2012CENGR
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Test
    100pF @ 100V
  • Napięcie - Podział
    Die Outline (4-Solder Bar)
  • VGS (th) (Max) @ Id
    100 mOhm @ 3A, 5V
  • Technologia
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Seria
    eGaN®
  • Stan RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    5A (Ta)
  • Polaryzacja
    Die
  • Inne nazwy
    917-EPC2012CENGRTR
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    EPC2012CENGR
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1nC @ 5V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    2.5V @ 1mA
  • Cecha FET
    N-Channel
  • Rozszerzony opis
    N-Channel 200V 5A (Ta) Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar)
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    -
  • Opis
    TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    200V
  • Stosunek pojemności
    -
EPC2015

EPC2015

Opis: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC1PI8N

EPC1PI8N

Opis: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
EPC2001C

EPC2001C

Opis: TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2015C

EPC2015C

Opis: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2012

EPC2012

Opis: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2019ENG

EPC2019ENG

Opis: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2018

EPC2018

Opis: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2014

EPC2014

Opis: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2012C

EPC2012C

Opis: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2007

EPC2007

Opis: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2010CENGR

EPC2010CENGR

Opis: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2016

EPC2016

Opis: TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2019

EPC2019

Opis: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2016C

EPC2016C

Opis: TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2001

EPC2001

Opis: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2014C

EPC2014C

Opis: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2010

EPC2010

Opis: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2010C

EPC2010C

Opis: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2007C

EPC2007C

Opis: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2015CENGR

EPC2015CENGR

Opis: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść