Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > ZXMP10A18GTA
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5921650Obraz ZXMP10A18GTA.Diodes Incorporated

ZXMP10A18GTA

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.95
10+
$1.758
100+
$1.413
500+
$1.099
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ZXMP10A18GTA
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
    ZXMP10A18GTA.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-223
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    150 mOhm @ 2.8A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2W (Ta)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    TO-261-4, TO-261AA
  • Inne nazwy
    ZXMP10A18GDKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    31 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1055pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    26.9nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 100V 2.6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    2.6A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „ZXMP10A18GTA”.
ZXMP10A17E6TA

ZXMP10A17E6TA

Opis: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP3A16GTA

ZXMP3A16GTA

Opis: MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP3A16N8TA

ZXMP3A16N8TA

Opis: MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP2120E5TA

ZXMP2120E5TA

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.122A SOT23-5

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP10A18K

ZXMP10A18K

Opis: MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP10A16KTC

ZXMP10A16KTC

Opis: MOSFET P-CH 100V 3A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMNS3BM832TA

ZXMNS3BM832TA

Opis: MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP10A13FQTA

ZXMP10A13FQTA

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP10A17GQTA

ZXMP10A17GQTA

Opis: MOSFET P-CH 100V SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP2120G4TA

ZXMP2120G4TA

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT-223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP3A13FTA

ZXMP3A13FTA

Opis: MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP10A13FTA

ZXMP10A13FTA

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP10A17E6QTA

ZXMP10A17E6QTA

Opis: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP10A17GQTC

ZXMP10A17GQTC

Opis: MOSFET PCH 100V 1.7A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP10A17KTC

ZXMP10A17KTC

Opis: MOSFET P-CH 100V 2.4A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP3A17DN8TA

ZXMP3A17DN8TA

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 3.4A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP10A17GTA

ZXMP10A17GTA

Opis: MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP3A16DN8TA

ZXMP3A16DN8TA

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP2120FFTA

ZXMP2120FFTA

Opis: MOSFET P-CH 200V SOT23F-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP10A18KTC

ZXMP10A18KTC

Opis: MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.