Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > ZXMP10A17E6TA
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1999152Obraz ZXMP10A17E6TA.Diodes Incorporated

ZXMP10A17E6TA

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.292
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ZXMP10A17E6TA
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    ZXMP10A17E6TA.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-26
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    350 mOhm @ 1.4A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.1W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SOT-23-6
  • Inne nazwy
    ZXMP10A17E6TR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    20 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    424pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    6.1nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 100V 1.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.3A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „ZXMP10A17E6TA”.
ZXMP10A18GTA

ZXMP10A18GTA

Opis: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP2120G4TA

ZXMP2120G4TA

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT-223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMN7A11KTC

ZXMN7A11KTC

Opis: MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMN6A25N8TA

ZXMN6A25N8TA

Opis: MOSFET N-CH 60V 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP10A17GQTC

ZXMP10A17GQTC

Opis: MOSFET PCH 100V 1.7A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMNS3BM832TA

ZXMNS3BM832TA

Opis: MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMN6A25KTC

ZXMN6A25KTC

Opis: MOSFET N-CH 60V DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP10A17GQTA

ZXMP10A17GQTA

Opis: MOSFET P-CH 100V SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMN6A25K

ZXMN6A25K

Opis: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP10A16KTC

ZXMP10A16KTC

Opis: MOSFET P-CH 100V 3A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP10A17GTA

ZXMP10A17GTA

Opis: MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP10A17E6QTA

ZXMP10A17E6QTA

Opis: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA

Opis: MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP10A17KTC

ZXMP10A17KTC

Opis: MOSFET P-CH 100V 2.4A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP2120FFTA

ZXMP2120FFTA

Opis: MOSFET P-CH 200V SOT23F-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP10A13FQTA

ZXMP10A13FQTA

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP10A18K

ZXMP10A18K

Opis: MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP10A18KTC

ZXMP10A18KTC

Opis: MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP10A13FTA

ZXMP10A13FTA

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMP2120E5TA

ZXMP2120E5TA

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.122A SOT23-5

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.