Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMTH10H005SCT
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6338941

DMTH10H005SCT

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
50+
$1.659
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMTH10H005SCT
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
    DMTH10H005SCT.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220AB
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    5 mOhm @ 13A, 10V
  • Strata mocy (max)
    187W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    8474pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    111.7nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 140A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    140A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMTH10H005SCT”.
DMTH10H030LK3-13

DMTH10H030LK3-13

Opis: MOSFET NCH 100V 28A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

Opis: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH10H005LCT

DMTH10H005LCT

Opis: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6D47K-F

DMT6D47K-F

Opis: CAP FILM 4700PF 10% 630VDC RAD

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13

Opis: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH3004LK3-13

DMTH3004LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 21A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH3002LPS-13

DMTH3002LPS-13

Opis: MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH10H015LK3-13

DMTH10H015LK3-13

Opis: MOSFET NCH 100V 52.5A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT8012LFG-13

DMT8012LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13

Opis: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6P1K

DMT6P1K

Opis: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT8012LK3-13

DMT8012LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH10H025LK3-13

DMTH10H025LK3-13

Opis: MOSFET NCH 100V TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH10H010SPSQ-13

DMTH10H010SPSQ-13

Opis: MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

Opis: MOSFET 100V 108A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH10H010LCTB-13

DMTH10H010LCTB-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6P1K-F

DMT6P1K-F

Opis: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
DMT6D33K-F

DMT6D33K-F

Opis: CAP FILM 3300PF 10% 630VDC RAD

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.