Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMTH10H010SPSQ-13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4461327Obraz DMTH10H010SPSQ-13.Diodes Incorporated

DMTH10H010SPSQ-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.91
10+
$1.725
100+
$1.386
500+
$1.078
1000+
$0.893
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMTH10H010SPSQ-13
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMTH10H010SPSQ-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerDI5060-8
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    8.8 mOhm @ 13A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.5W (Ta), 166W (Tc)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    8-PowerTDFN
  • Inne nazwy
    DMTH10H010SPSQ-13DIDKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    20 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4468pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    56.4nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 11.8A (Ta), 100A (Tc) 1.5W (Ta), 166W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    11.8A (Ta), 100A (Tc)

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMTH10H010SPSQ-13”.
DMTH10H005SCT

DMTH10H005SCT

Opis: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH3004LK3Q-13

DMTH3004LK3Q-13

Opis: MOSFET NCH 30V 21A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH3002LPS-13

DMTH3002LPS-13

Opis: MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

Opis: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT8012LFG-13

DMT8012LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH3004LK3-13

DMTH3004LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 21A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

Opis: MOSFET 100V 108A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT8012LK3-13

DMT8012LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH10H025LK3-13

DMTH10H025LK3-13

Opis: MOSFET NCH 100V TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH4004LK3-13

DMTH4004LK3-13

Opis: MOSFET NCH 40V 100A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH10H010LCTB-13

DMTH10H010LCTB-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH3004LPS-13

DMTH3004LPS-13

Opis: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH10H015LK3-13

DMTH10H015LK3-13

Opis: MOSFET NCH 100V 52.5A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH10H005LCT

DMTH10H005LCT

Opis: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH3004LPSQ-13

DMTH3004LPSQ-13

Opis: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH10H030LK3-13

DMTH10H030LK3-13

Opis: MOSFET NCH 100V 28A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13

Opis: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13

Opis: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.