Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN601K-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4368155Obraz DMN601K-7.Diodes Incorporated

DMN601K-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.59
10+
$0.426
100+
$0.251
500+
$0.142
1000+
$0.109
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN601K-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMN601K-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23-3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2 Ohm @ 500mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    350mW (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    DMN601K-FCT
    DMN601K-FCT-ND
    DMN601K-FDICT
    DMN601K-FDICT-ND
    DMN601KDICT
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    17 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    50pF @ 25V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    300mA (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN601K-7”.
DMN6013LFG-13

DMN6013LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6040SFDE-7

DMN6040SFDE-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 5.3A U-DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN601DWK-7

DMN601DWK-7

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6013LFGQ-13

DMN6013LFGQ-13

Opis: MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN601WKQ-7

DMN601WKQ-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6017SK3-13

DMN6017SK3-13

Opis: MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6013LFGQ-7

DMN6013LFGQ-7

Opis: MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6040SSD-13

DMN6040SSD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN5L06WKQ-7

DMN5L06WKQ-7

Opis: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6013LFG-7

DMN6013LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN601DMK-7

DMN601DMK-7

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN601DWKQ-7

DMN601DWKQ-7

Opis: MOSFET N-CHAN 41V 60V SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN601TK-7

DMN601TK-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN601WKQ-13

DMN601WKQ-13

Opis: MOSFET NCH 60V SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN601VKQ-7

DMN601VKQ-7

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6022SSD-13

DMN6022SSD-13

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN601WK-7

DMN601WK-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 300MA SC70-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN5L06WK-7

DMN5L06WK-7

Opis: MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6040SK3-13

DMN6040SK3-13

Opis: MOSFET N CH 60V 20A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN601VK-7

DMN601VK-7

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.