Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN6013LFGQ-13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5671054Obraz DMN6013LFGQ-13.Diodes Incorporated

DMN6013LFGQ-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.375
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN6013LFGQ-13
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMN6013LFGQ-13.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerDI3333-8
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    13 mOhm @ 10A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-PowerVDFN
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2577pF @ 30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    55.4nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 10.3A (Ta), 45A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    10.3A (Ta), 45A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN6013LFGQ-13”.
DMN5L06VA-7

DMN5L06VA-7

Opis: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN5L06W-7

DMN5L06W-7

Opis: MOSFET N-CH 50V 280MA SC70-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN601VK-7

DMN601VK-7

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN601WK-7

DMN601WK-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 300MA SC70-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6017SK3-13

DMN6017SK3-13

Opis: MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN5L06VK-7

DMN5L06VK-7

Opis: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN601TK-7

DMN601TK-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN5L06WKQ-7

DMN5L06WKQ-7

Opis: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN601DMK-7

DMN601DMK-7

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN601DWKQ-7

DMN601DWKQ-7

Opis: MOSFET N-CHAN 41V 60V SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN5L06VAK-7

DMN5L06VAK-7

Opis: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN601K-7

DMN601K-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN601DWK-7

DMN601DWK-7

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6013LFG-13

DMN6013LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN601VKQ-7

DMN601VKQ-7

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN5L06VKQ-7

DMN5L06VKQ-7

Opis: MOSFET 2 N-CH 50V 280MA SOT563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6013LFG-7

DMN6013LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN5L06V-7

DMN5L06V-7

Opis: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN6013LFGQ-7

DMN6013LFGQ-7

Opis: MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN5L06WK-7

DMN5L06WK-7

Opis: MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.