Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN3730U-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2017449Obraz DMN3730U-7.Diodes Incorporated

DMN3730U-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.58
10+
$0.453
100+
$0.311
500+
$0.213
1000+
$0.16
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN3730U-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMN3730U-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    950mV @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    460 mOhm @ 200mA, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    450mW (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    DMN3730U-7DICT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    26 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    64.3pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    1.6nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 750mA (Ta) 450mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    750mA (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN3730U-7”.
DMN4008LFG-7

DMN4008LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4009LK3-13

DMN4009LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 18A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4008LFG-13

DMN4008LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3900UFA-7B

DMN3900UFA-7B

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN33D8LDW-7

DMN33D8LDW-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4010LFG-7

DMN4010LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3300U-7

DMN3300U-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3404L-7

DMN3404L-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN33D8LDW-13

DMN33D8LDW-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN33D8LT-7

DMN33D8LT-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3730UFB-7

DMN3730UFB-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4015LK3-13

DMN4015LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4020LFDE-13

DMN4020LFDE-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 8A U-DFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4010LFG-13

DMN4010LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.