Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN4010LFG-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2259899Obraz DMN4010LFG-7.Diodes Incorporated

DMN4010LFG-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.80
10+
$0.676
100+
$0.507
500+
$0.372
1000+
$0.287
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN4010LFG-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMN4010LFG-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerDI3333-8
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    12 mOhm @ 14A, 10V
  • Strata mocy (max)
    930mW (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    8-PowerWDFN
  • Inne nazwy
    DMN4010LFG-7DICT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1810pF @ 20V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    37nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    40V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 40V 11.5A (Ta) 930mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    11.5A (Ta)
  • Podstawowy numer części
    DMN4010

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN4010LFG-7”.
DMN3730UFB-7

DMN3730UFB-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4026SSDQ-13

DMN4026SSDQ-13

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3404L-7

DMN3404L-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4030LK3-13

DMN4030LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4010LFG-13

DMN4010LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3900UFA-7B

DMN3900UFA-7B

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN33D8LT-7

DMN33D8LT-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4027SSD-13

DMN4027SSD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4026SK3-13

DMN4026SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 28A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4020LFDE-13

DMN4020LFDE-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 8A U-DFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4015LK3-13

DMN4015LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4009LK3-13

DMN4009LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 18A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4027SSS-13

DMN4027SSS-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 6A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3730U-7

DMN3730U-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4020LFDE-7

DMN4020LFDE-7

Opis: MOSFET N-CH 40V 6-UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4026SSD-13

DMN4026SSD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4025LSD-13

DMN4025LSD-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4008LFG-7

DMN4008LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4008LFG-13

DMN4008LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.