Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN2400UFB4-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4439236Obraz DMN2400UFB4-7.Diodes Incorporated

DMN2400UFB4-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.44
10+
$0.40
100+
$0.224
500+
$0.12
1000+
$0.082
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN2400UFB4-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMN2400UFB4-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    X2-DFN1006-3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    550 mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    470mW (Ta)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    3-XFDFN
  • Inne nazwy
    DMN2400UFB4-7DIDKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    20 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    36pF @ 16V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    0.5nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 750mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    750mA (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN2400UFB4-7”.
DMN2400UFDQ-13

DMN2400UFDQ-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2320UFB4-7B

DMN2320UFB4-7B

Opis: MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2250UFB-7B

DMN2250UFB-7B

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2501UFB4-7

DMN2501UFB4-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2450UFD-7

DMN2450UFD-7

Opis: MOSFETN-CHAN 20V X1-DFN1212-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2500UFB4-7

DMN2500UFB4-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2300UFB-7B

DMN2300UFB-7B

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2400UV-7

DMN2400UV-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2230UQ-7

DMN2230UQ-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2230UQ-13

DMN2230UQ-13

Opis: MOSFET NCH 20V 2A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2300U-7

DMN2300U-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2550UFA-7B

DMN2550UFA-7B

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2400UFD-7

DMN2400UFD-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2300UFL4-7

DMN2300UFL4-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN24H3D5L-13

DMN24H3D5L-13

Opis: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2400UFB-7

DMN2400UFB-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN24H3D5L-7

DMN24H3D5L-7

Opis: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2300UFB4-7B

DMN2300UFB4-7B

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2400UFDQ-7

DMN2400UFDQ-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2300UFD-7

DMN2300UFD-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.